электронные компоненты лучшее профессионалам |
ЭлкоПро
+7(3822)511225
|
Переход на мобильную версию сайта г. Томск, пер. 1905 года, дом 18 |
Корзина
0 товаров, 0.00 руб. |
Описание товара
MJE15035G — описание:Транзисторы Биполярные транзисторы - BJT 4A 350V 50W PNP Pd - рассеивание мощности:50 W Вес изделия:6 g Вид монтажа:Through Hole Высота:15.75 mm Длина:10.53 mm Категория продукта:Биполярные транзисторы - BJT Конфигурация:Single Максимальная рабочая температура:+ 150 C Максимальный постоянный ток коллектора:4 A Минимальная рабочая температура:- 65 C Напряжение коллектор-база (VCBO):350 V Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:350 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:0.5 V Напряжение эмиттер-база (VEBO):5 V Непрерывный коллекторный ток:4 A Полярность транзистора:PNP Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT):30 MHz Производитель:ON Semiconductor Размер фабричной упаковки:50 Серия:MJE15035 Торговая марка:ON Semiconductor Упаковка:Tube Упаковка / блок:TO-220-3 Ширина:4.83 mm
Наличие:
Покупка: |